收藏本站
IRF640N/S/L
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B-
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
15.24 (.600)
4
6.10 (.240)
HEXFET - GATE
IGBTs, CoPACK
14.84 (.584)
1.15 (.045)
MIN
LEAD ASSIGNMENTS
LEAD ASSIGNMENTS
1
1- GATE - DRAIN
1
2
3
2
1- GATE
3 -
2- DRAIN SOURCE
2- COLLECTOR
14.09 (.555)
13.47 (.530)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
4 -
3- SOURCE DRAIN
4- DRAIN
3- EMITTER
4- COLLECTOR
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
3X
0.69 (.027)
0.36 (.014)
M
B A M
0.55 (.022)
3X
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.54 (.100)
2X
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH
2.64 (.104)
3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
E XAMPL E : T HIS IS AN IR F 1010
L OT CODE 1789
AS S E MB L E D ON WW 19, 1997
IN T H E AS S E MB L Y L INE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
www.irf.com
INT E R NAT IONAL
RE CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WE E K 19
L INE C
8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF644B_FP001 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
IRF6603TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6604TR1 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
IRF6607TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6613 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
IRF6614TR1 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
IRF6633TR1 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
IRF6644TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
相关代理商/技术参数
IRF640NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF640NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640NS 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRF640NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF640NSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
IRF640NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 200 V 150 W 67nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK